Силовые полупроводники
Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Курс силовой электроники с QSPICE, выпуск 19: собираем простой повышающий преобразователь
От схемы до испытаний: преобразователь на MOSFET IRL540 и микроконтроллере PIC16F628A поднимает 12 В от свинцового аккумулятора примерно до 90 В при частоте 10 кГц. В статье разобраны таблица зависимости выхода от коэффициента заполнения, выбор дросселя, разводка платы и порядок сборки.
Renesas вывела нитрид галлия в низковольтные применения: четыре транзистора на 100 В
Четыре транзистора E-типа на нитриде галлия имеют сопротивление открытого канала от 1,2 до 5 мОм и выводятся в корпусах, совместимых с кремниевыми MOSFET. Добротность при жёстком переключении у них ниже на 35%, при мягком — на 63%, а заряд обратного восстановления отсутствует.
Renesas вывела нитрид галлия в низковольтные применения на 100 В
Первое семейство дискретных транзисторов на нитриде галлия с нормально закрытым каналом рассчитано на ИИ-дата-центры, роботов и промышленные приводы. Потери переключения ниже на 40–70%, а посадочное место совместимо с кремниевыми MOSFET.
Vishay выпустила силовые модули на 650 В с суперпереходными MOSFET
Четыре модуля в корпусе SOT-227 рассчитаны на токи 50, 100 и 150 А; один из них — низковольтный ключ с интегрированным диодом на карбиде кремния. Корпус стандартный, поэтому заменить прибор в готовой конструкции можно без переработки платы.
Magnachip добавила в линейку суперпереходных MOSFET шестого поколения 15 приборов
Серия E6 рассчитана на бытовую и вычислительную технику мощностью до 1 кВт. В корректоре коэффициента мощности телевизора прибор 600 В, 280 мОм работал примерно на 5,3% холоднее предыдущего поколения.
ST представляет компактный интеллектуальный силовой модуль SLLIMM на 600 В для приводов двигателей
Новый модуль STGI15C60S на 20 А объединяет трёхфазный IGBT-инвертор, драйверы затворов и защитные функции в DBC-корпусе размером 18,8 × 32,8 мм — более чем на 30 % компактнее существующих IGBT-модулей на DBC.
Taiwan Semi расширяет серию TQM сдвоенными MOSFET на 60 В
Новые автомобильные сдвоенные n-канальные MOSFET на 60 В в корпусе PDFN56UD сочетают низкое RDS(on), большой ток стока и смачиваемые боковые контакты для компактных автомобильных силовых схем высокой плотности.
onsemi: кремний и карбид кремния для промышленных накопителей и сервоприводов
Новый модуль FBP закрывает инверторы 350 кВт для солнечной энергетики и 250 кВт для накопителей. Для сервоприводов вышел SiC-модуль на 70 А в том же корпусе SPM31, что и 35-амперный IGBT: удвоение плотности мощности и радиатор впятеро-вдесятеро меньше.