Силовые полупроводники
Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Курс силовой электроники с QSPICE, выпуск 19: собираем простой повышающий преобразователь
От схемы до испытаний: преобразователь на MOSFET IRL540 и микроконтроллере PIC16F628A поднимает 12 В от свинцового аккумулятора примерно до 90 В при частоте 10 кГц. В статье разобраны таблица зависимости выхода от коэффициента заполнения, выбор дросселя, разводка платы и порядок сборки.
Монолитная интеграция диода Шоттки с GaN-транзистором снизила напряжение обратной проводимости на 41%
У транзисторов на нитриде галлия высокое напряжение открывания в обратном направлении, и встроенный диод Шоттки заметно улучшает дело. Группа из Юго-Восточного университета объединила на одном кристалле MIS-HEMT и диод с двумя каналами: напряжение упало до 1,55 В, а напряжение пробоя выросло до 860 В.
Renesas вывела нитрид галлия в низковольтные применения: четыре транзистора на 100 В
Четыре транзистора E-типа на нитриде галлия имеют сопротивление открытого канала от 1,2 до 5 мОм и выводятся в корпусах, совместимых с кремниевыми MOSFET. Добротность при жёстком переключении у них ниже на 35%, при мягком — на 63%, а заряд обратного восстановления отсутствует.
Toshiba выпустила силовой модуль на SiC-MOSFET для 3300 В и 800 А
Сдвоенный модуль IX800FXF2YMS4 на транзисторах третьего поколения из карбида кремния предназначен для тяговых инверторов, твердотельных трансформаторов, источников бесперебойного питания и промышленных приводов. Встроенный диод выдерживает перегрузку с показателем I²t 300 кА²·с.
Renesas вывела нитрид галлия в низковольтные применения на 100 В
Первое семейство дискретных транзисторов на нитриде галлия с нормально закрытым каналом рассчитано на ИИ-дата-центры, роботов и промышленные приводы. Потери переключения ниже на 40–70%, а посадочное место совместимо с кремниевыми MOSFET.
Vishay выпустила силовые модули на 650 В с суперпереходными MOSFET
Четыре модуля в корпусе SOT-227 рассчитаны на токи 50, 100 и 150 А; один из них — низковольтный ключ с интегрированным диодом на карбиде кремния. Корпус стандартный, поэтому заменить прибор в готовой конструкции можно без переработки платы.
Гибридный контактор на тиристорах и SiC JFET для асинхронных двигателей
Исследователи ABB объединили кремниевые тиристоры с каскодными транзисторами на карбиде кремния: тиристоры держат восьмикратные пусковые перегрузки, а JFET обеспечивают высокий КПД на рабочем токе. Прототип показал КПД 99,62% и коэффициент гармоник 1,24%.
Magnachip добавила в линейку суперпереходных MOSFET шестого поколения 15 приборов
Серия E6 рассчитана на бытовую и вычислительную технику мощностью до 1 кВт. В корректоре коэффициента мощности телевизора прибор 600 В, 280 мОм работал примерно на 5,3% холоднее предыдущего поколения.
Широкозонные полупроводники: обзор новостей за сентябрь 2026 года
Месячный обзор ключевых новостей о карбиде кремния, нитриде галлия и широкозонных материалах. В выпуске: новые SiC-модули и процессы, сделки и альянсы Infineon, Navitas, Magnachip и DB HiTek, решения на GaN для ЦОД искусственного интеллекта, приводов и радаров. Отдельный раздел посвящён исследованиям широкозонных материалов — от гексагонального алмаза и NbAlN до двумерного оксида галлия.
Технология SiC от ST позволила платформе DG Matrix Interport достичь 400 кВт
Платформа Interport достигла мощности 400 кВт практически в тех же габаритах при КПД выше 98,5 % для применений с высокой плотностью мощности.
Taiwan Semi расширяет серию TQM сдвоенными MOSFET на 60 В
Новые автомобильные сдвоенные n-канальные MOSFET на 60 В в корпусе PDFN56UD сочетают низкое RDS(on), большой ток стока и смачиваемые боковые контакты для компактных автомобильных силовых схем высокой плотности.
DB HiTek квалифицировала техпроцесс SiC MOSFET на 1200 В на 8-дюймовых пластинах
Южнокорейская контрактная фабрика DB HiTek завершила квалификацию надёжности техпроцесса SiC MOSFET на 1200 В на 200-мм пластинах, предоставляет PDK первого и второго поколений, в ноябре выпустит PDK третьего поколения и нацелена на серийное производство в 2027 году.
onsemi: кремний и карбид кремния для промышленных накопителей и сервоприводов
Новый модуль FBP закрывает инверторы 350 кВт для солнечной энергетики и 250 кВт для накопителей. Для сервоприводов вышел SiC-модуль на 70 А в том же корпусе SPM31, что и 35-амперный IGBT: удвоение плотности мощности и радиатор впятеро-вдесятеро меньше.
Aratas представила компактное SiC-реле для систем на 3,3 кВ
Твердотельное реле G3VH на карбидкремниевом МОП-транзисторе сочетает низкое сопротивление открытого канала, быстрое переключение и изоляцию 5000 В в компактном корпусе. Выпускается в вариантах на 1800 и 3300 В.