Силовые полупроводники

Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.

РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Тема «IGBT» · Показано 1–4 из 4 · сбросить тему
КомпонентыСиловые полупроводникиIGBT · MOSFET · Источники питания

Гибридный контактор на тиристорах и SiC JFET для асинхронных двигателей

Исследователи ABB объединили кремниевые тиристоры с каскодными транзисторами на карбиде кремния: тиристоры держат восьмикратные пусковые перегрузки, а JFET обеспечивают высокий КПД на рабочем токе. Прототип показал КПД 99,62% и коэффициент гармоник 1,24%.

КомпонентыСиловые полупроводникиIGBT · STMicroelectronics · Датчики

ST представляет компактный интеллектуальный силовой модуль SLLIMM на 600 В для приводов двигателей

Новый модуль STGI15C60S на 20 А объединяет трёхфазный IGBT-инвертор, драйверы затворов и защитные функции в DBC-корпусе размером 18,8 × 32,8 мм — более чем на 30 % компактнее существующих IGBT-модулей на DBC.

Power Integrations выпустила одноплатный драйвер затвора для двухканальных IGBT-модулей 1,2–2,3 кВ

SCALE-iFlex XLT подходит к модулям LV100 от Mitsubishi, XHP 2 от Infineon и HPnC от Fuji Electric с напряжением до 2300 В. Изолированное считывание NTC позволяет поднять мощность преобразователя на 25–30% на том же оборудовании.

onsemi: кремний и карбид кремния для промышленных накопителей и сервоприводов

Новый модуль FBP закрывает инверторы 350 кВт для солнечной энергетики и 250 кВт для накопителей. Для сервоприводов вышел SiC-модуль на 70 А в том же корпусе SPM31, что и 35-амперный IGBT: удвоение плотности мощности и радиатор впятеро-вдесятеро меньше.

Заметили ошибку?