Силовые полупроводники
Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Рынок
Производство
Микросхемы и вычисления
Компоненты
Системы и применения
Китайские компоненты
Темы
Датчики 74Память 73Робототехника 63Печатные платы 53Источники питания 48Дисплеи 38NXP 37Micron 35MOSFET 30Карбид кремния 28Корпусирование 28Электромобили 26Nvidia 25Микросхемы питания 25Нитрид галлия 24Конденсаторы 23Кремниевые пластины 17TSMC 12Texas Instruments 12Резисторы 12Samsung 11IGBT 10Infineon 10Дроссели 10
Тема «Дисплеи» · Показано 1–2 из 2 · сбросить тему
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
Плата на транзисторах GaNFast преобразует 800 В постоянного тока прямо в 12 В без промежуточной ступени на 50 В. Расчётный КПД при полной нагрузке — 97%, удельная мощность свыше 2000 Вт на кубический дюйм, формат 400 × 60 мм для установки прямо на вычислительную плату.
Курс силовой электроники с QSPICE, выпуск 19: собираем простой повышающий преобразователь
От схемы до испытаний: преобразователь на MOSFET IRL540 и микроконтроллере PIC16F628A поднимает 12 В от свинцового аккумулятора примерно до 90 В при частоте 10 кГц. В статье разобраны таблица зависимости выхода от коэффициента заполнения, выбор дросселя, разводка платы и порядок сборки.