Силовые полупроводники
Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Рынок
Производство
Микросхемы и вычисления
Компоненты
Системы и применения
Китайские компоненты
Темы
Датчики 74Память 73Робототехника 63Печатные платы 53Источники питания 48Дисплеи 38NXP 37Micron 35MOSFET 30Карбид кремния 28Корпусирование 28Электромобили 26Nvidia 25Микросхемы питания 25Нитрид галлия 24Конденсаторы 23Кремниевые пластины 17TSMC 12Texas Instruments 12Резисторы 12Samsung 11IGBT 10Infineon 10Дроссели 10
Тема «Датчики» · Показано 1–2 из 2 · сбросить тему
КомпонентыСиловые полупроводникиIGBT · STMicroelectronics · Датчики
ST представляет компактный интеллектуальный силовой модуль SLLIMM на 600 В для приводов двигателей
Новый модуль STGI15C60S на 20 А объединяет трёхфазный IGBT-инвертор, драйверы затворов и защитные функции в DBC-корпусе размером 18,8 × 32,8 мм — более чем на 30 % компактнее существующих IGBT-модулей на DBC.
Power Integrations выпустила одноплатный драйвер затвора для двухканальных IGBT-модулей 1,2–2,3 кВ
SCALE-iFlex XLT подходит к модулям LV100 от Mitsubishi, XHP 2 от Infineon и HPnC от Fuji Electric с напряжением до 2300 В. Изолированное считывание NTC позволяет поднять мощность преобразователя на 25–30% на том же оборудовании.