DB HiTek квалифицировала техпроцесс SiC MOSFET на 1200 В на 8-дюймовых пластинах
Южнокорейская контрактная фабрика DB HiTek завершила квалификацию надёжности техпроцесса SiC MOSFET на 1200 В на 200-мм пластинах, предоставляет PDK первого и второго поколений, в ноябре выпустит PDK третьего поколения и нацелена на серийное производство в 2027 году.