Силовые полупроводники
Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
Плата на транзисторах GaNFast преобразует 800 В постоянного тока прямо в 12 В без промежуточной ступени на 50 В. Расчётный КПД при полной нагрузке — 97%, удельная мощность свыше 2000 Вт на кубический дюйм, формат 400 × 60 мм для установки прямо на вычислительную плату.
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Платформа Sungrow PowerTitan 3.0 построена на гибридных силовых модулях EliteSiC от onsemi и трёхуровневой схеме инвертора: КПД инверторной ступени вырос на 0,4%, мощность блока преобразования доходит до 450 кВт. На накопителе 100 МВт это даёт экономию более 475 МВт·ч в год.
Монолитная интеграция диода Шоттки с GaN-транзистором снизила напряжение обратной проводимости на 41%
У транзисторов на нитриде галлия высокое напряжение открывания в обратном направлении, и встроенный диод Шоттки заметно улучшает дело. Группа из Юго-Восточного университета объединила на одном кристалле MIS-HEMT и диод с двумя каналами: напряжение упало до 1,55 В, а напряжение пробоя выросло до 860 В.
Toshiba выпустила силовой модуль на SiC-MOSFET для 3300 В и 800 А
Сдвоенный модуль IX800FXF2YMS4 на транзисторах третьего поколения из карбида кремния предназначен для тяговых инверторов, твердотельных трансформаторов, источников бесперебойного питания и промышленных приводов. Встроенный диод выдерживает перегрузку с показателем I²t 300 кА²·с.
Vishay выпустила силовые модули на 650 В с суперпереходными MOSFET
Четыре модуля в корпусе SOT-227 рассчитаны на токи 50, 100 и 150 А; один из них — низковольтный ключ с интегрированным диодом на карбиде кремния. Корпус стандартный, поэтому заменить прибор в готовой конструкции можно без переработки платы.
Гибридный контактор на тиристорах и SiC JFET для асинхронных двигателей
Исследователи ABB объединили кремниевые тиристоры с каскодными транзисторами на карбиде кремния: тиристоры держат восьмикратные пусковые перегрузки, а JFET обеспечивают высокий КПД на рабочем токе. Прототип показал КПД 99,62% и коэффициент гармоник 1,24%.
Infineon и Eaton готовят твердотельные трансформаторы на SiC для ИИ-дата-центров
Infineon поставит Eaton силовые приборы на карбиде кремния для платформы MVSST 2.0 — твердотельных трансформаторов среднего напряжения под архитектуры питания 800 В постоянного тока.
Широкозонные полупроводники: обзор новостей за сентябрь 2026 года
Месячный обзор ключевых новостей о карбиде кремния, нитриде галлия и широкозонных материалах. В выпуске: новые SiC-модули и процессы, сделки и альянсы Infineon, Navitas, Magnachip и DB HiTek, решения на GaN для ЦОД искусственного интеллекта, приводов и радаров. Отдельный раздел посвящён исследованиям широкозонных материалов — от гексагонального алмаза и NbAlN до двумерного оксида галлия.
Технология SiC от ST позволила платформе DG Matrix Interport достичь 400 кВт
Платформа Interport достигла мощности 400 кВт практически в тех же габаритах при КПД выше 98,5 % для применений с высокой плотностью мощности.
Четыре ключевых преимущества SiC JFET: новый взгляд на защиту электрических цепей
В материале onsemi разбирается, почему SiC JFET и Combo JFET становятся ключевым выбором для твердотельных автоматических выключателей (SSCB): крайне низкое R_DS(on), стековая сборка в корпусе TOLL, измерение температуры и тока на кристалле, номинальное напряжение 750 В и простая схема управления.
DB HiTek квалифицировала техпроцесс SiC MOSFET на 1200 В на 8-дюймовых пластинах
Южнокорейская контрактная фабрика DB HiTek завершила квалификацию надёжности техпроцесса SiC MOSFET на 1200 В на 200-мм пластинах, предоставляет PDK первого и второго поколений, в ноябре выпустит PDK третьего поколения и нацелена на серийное производство в 2027 году.
От «железного» сердечника к «кремниевому»: 2026-й открывает 100-миллиардный рынок твердотельных трансформаторов
Твердотельные трансформаторы (SST) на SiC переводят преобразование 10 кВ в 800 В постоянного тока в один шаг с КПД 98,5% и становятся обязательным элементом ИИ-ЦОД и накопителей энергии; обзор новинок 2026 года от Eaton, Sungrow, Delta, NARI, Цзиньпань и других производителей с мощностью от 1,25 до 4,2 МВт.
onsemi: кремний и карбид кремния для промышленных накопителей и сервоприводов
Новый модуль FBP закрывает инверторы 350 кВт для солнечной энергетики и 250 кВт для накопителей. Для сервоприводов вышел SiC-модуль на 70 А в том же корпусе SPM31, что и 35-амперный IGBT: удвоение плотности мощности и радиатор впятеро-вдесятеро меньше.
Aratas представила компактное SiC-реле для систем на 3,3 кВ
Твердотельное реле G3VH на карбидкремниевом МОП-транзисторе сочетает низкое сопротивление открытого канала, быстрое переключение и изоляцию 5000 В в компактном корпусе. Выпускается в вариантах на 1800 и 3300 В.