Силовые полупроводники

Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.

РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Тема «Источники питания» · Показано 1–6 из 6 · сбросить тему

Курс силовой электроники с QSPICE, выпуск 19: собираем простой повышающий преобразователь

От схемы до испытаний: преобразователь на MOSFET IRL540 и микроконтроллере PIC16F628A поднимает 12 В от свинцового аккумулятора примерно до 90 В при частоте 10 кГц. В статье разобраны таблица зависимости выхода от коэффициента заполнения, выбор дросселя, разводка платы и порядок сборки.

КомпонентыСиловые полупроводникиMOSFET · Источники питания · Нитрид галлия

Renesas вывела нитрид галлия в низковольтные применения на 100 В

Первое семейство дискретных транзисторов на нитриде галлия с нормально закрытым каналом рассчитано на ИИ-дата-центры, роботов и промышленные приводы. Потери переключения ниже на 40–70%, а посадочное место совместимо с кремниевыми MOSFET.

КомпонентыСиловые полупроводникиMOSFET · Vishay · Источники питания

Vishay выпустила силовые модули на 650 В с суперпереходными MOSFET

Четыре модуля в корпусе SOT-227 рассчитаны на токи 50, 100 и 150 А; один из них — низковольтный ключ с интегрированным диодом на карбиде кремния. Корпус стандартный, поэтому заменить прибор в готовой конструкции можно без переработки платы.

КомпонентыСиловые полупроводникиIGBT · MOSFET · Источники питания

Гибридный контактор на тиристорах и SiC JFET для асинхронных двигателей

Исследователи ABB объединили кремниевые тиристоры с каскодными транзисторами на карбиде кремния: тиристоры держат восьмикратные пусковые перегрузки, а JFET обеспечивают высокий КПД на рабочем токе. Прототип показал КПД 99,62% и коэффициент гармоник 1,24%.

КомпонентыСиловые полупроводникиMOSFET · Источники питания · Печатные платы

Magnachip добавила в линейку суперпереходных MOSFET шестого поколения 15 приборов

Серия E6 рассчитана на бытовую и вычислительную технику мощностью до 1 кВт. В корректоре коэффициента мощности телевизора прибор 600 В, 280 мОм работал примерно на 5,3% холоднее предыдущего поколения.

КомпонентыСиловые полупроводникиДрайверы затвора · Источники питания · Нитрид галлия

EPC начала серийный выпуск интегральных силовых микросхем на нитриде галлия для 100 В

Семейство EPC23108/09/10/11 объединяет верхний и нижний транзисторы eGaN, драйверы затвора и схему сдвига уровня в корпусе QFN. Токи 20 и 35 А, работа при 100% коэффициенте заполнения, быстрое отключение при аварии.

Заметили ошибку?