Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.

От схемы до испытаний: преобразователь на MOSFET IRL540 и микроконтроллере PIC16F628A поднимает 12 В от свинцового аккумулятора примерно до 90 В при частоте 10 кГц. В статье разобраны таблица зависимости выхода от коэффициента заполнения, выбор дросселя, разводка платы и порядок сборки.
Первое семейство дискретных транзисторов на нитриде галлия с нормально закрытым каналом рассчитано на ИИ-дата-центры, роботов и промышленные приводы. Потери переключения ниже на 40–70%, а посадочное место совместимо с кремниевыми MOSFET.
Четыре модуля в корпусе SOT-227 рассчитаны на токи 50, 100 и 150 А; один из них — низковольтный ключ с интегрированным диодом на карбиде кремния. Корпус стандартный, поэтому заменить прибор в готовой конструкции можно без переработки платы.
Исследователи ABB объединили кремниевые тиристоры с каскодными транзисторами на карбиде кремния: тиристоры держат восьмикратные пусковые перегрузки, а JFET обеспечивают высокий КПД на рабочем токе. Прототип показал КПД 99,62% и коэффициент гармоник 1,24%.
Серия E6 рассчитана на бытовую и вычислительную технику мощностью до 1 кВт. В корректоре коэффициента мощности телевизора прибор 600 В, 280 мОм работал примерно на 5,3% холоднее предыдущего поколения.
Семейство EPC23108/09/10/11 объединяет верхний и нижний транзисторы eGaN, драйверы затвора и схему сдвига уровня в корпусе QFN. Токи 20 и 35 А, работа при 100% коэффициенте заполнения, быстрое отключение при аварии.