Cf
Загрузить BOMили вставить список

Измерения и испытания

Осциллографы, анализаторы, генераторы сигналов и методики испытаний.

РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Рынок
Геополитика и экспортный контроль 10Сделки, инвестиции и IPO 19Цены и дефицит 11Прогнозы и статистика рынка 37
Производство
Фабрики, техпроцессы и оборудование 14Кремниевые пластины и материалы 1Корпусирование и сборка 3Печатные платы 4
Микросхемы и вычисления
Процессоры и ускорители ИИ 22Память и хранение 8Архитектуры и чиплеты 8Дата-центры и инфраструктура ИИ 14САПР, ПО и средства разработки 16
Компоненты
Силовые полупроводники 22Источники и модули питания 19Пассивные и магнитные компоненты 18Защита цепей 8Датчики 14Разъёмы и электромеханика 4Оптоэлектроника и лазеры 6
Системы и применения
Встраиваемые системы и одноплатники 28Робототехника и дроны 24Беспроводная связь и РЧ 19Автоэлектроника и электромобили 14Измерения и испытания 11
Китайские компоненты
Аналоги и замены 63Китайские новинки 13
← все разделы
Темы
Датчики 74Память 73Робототехника 63Печатные платы 53Источники питания 48Дисплеи 38NXP 37Micron 35MOSFET 30Карбид кремния 28Корпусирование 28Электромобили 26Nvidia 25Микросхемы питания 25Нитрид галлия 24Конденсаторы 23Кремниевые пластины 17TSMC 12Texas Instruments 12Резисторы 12Samsung 11IGBT 10Infineon 10Дроссели 10
Тема «MOSFET» · Показано 1–1 из 1 · сбросить тему

Сначала посмотри, потом режь: как находят первопричину отказов силовых приборов

Руководитель электронного направления Zeiss Microscopy Томас Роджерс рассказывает, как в лабораториях анализа отказов ищут причину выхода из строя SiC-MOSFET, IGBT и GaN-транзисторов: неразрушающая трёхмерная рентгеновская съёмка перед разрезанием образца, фемтосекундная лазерная абляция, полировка ионным пучком и возвращение старых методов вроде электронно-канального контраста.

Заметили ошибку?