Осциллографы, анализаторы, генераторы сигналов и методики испытаний.

На выставке 13–15 октября в Сан-Франциско компания представит системы рентгеновской топографии XRTmicron и платформы XTRAIA для измерения тонких плёнок, структуры и критических размеров. Покажут также приборы рентгенофлуоресцентного анализа для поиска следовых загрязнений.

Руководитель электронного направления Zeiss Microscopy Томас Роджерс рассказывает, как в лабораториях анализа отказов ищут причину выхода из строя SiC-MOSFET, IGBT и GaN-транзисторов: неразрушающая трёхмерная рентгеновская съёмка перед разрезанием образца, фемтосекундная лазерная абляция, полировка ионным пучком и возвращение старых методов вроде электронно-канального контраста.