ZXMN10A11GTA
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: Diodes IncЗапад
100 В, 2.4 А, 0.45 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 1 653 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 2.4 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.45 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 274 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-223 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:ZXMN10A11GTADiodes IncТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 420119
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
39,17 ₽
от 8 шт
| от 16 шт | 38,16 ₽ |
| от 31 шт | 36,75 ₽ |
| от 61 шт | 34,67 ₽ |
| от 121 шт | 32,15 ₽ |
Наличие
970 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 237597
Доставка и самовывоз
Цена
48,92 ₽
от 31 шт
Наличие
683 шт
Упаковка: 31 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.