YJB200G06B
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: YangjieКитай
60 В, 200 А, 0.0029 Ом, 4 В
Предложений: 3 · Всего: 3 095 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 200 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0029 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 260 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4165 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-263 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:YJB200G06BYangjieТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 5024313
Склад Москва
Цена
31,42 ₽
от 1 шт
Наличие
1 669 шт
Упаковка: 800 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 295474
Доставка и самовывоз
Цена
38,10 ₽
от 1 шт
Наличие
1 175 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 539549
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
73,33 ₽
от 5 шт
| от 25 шт | 67,99 ₽ |
| от 50 шт | 63,62 ₽ |
| от 99 шт | 60,36 ₽ |
| от 198 шт | 57,92 ₽ |
Наличие
251 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.