📦
WMB52N06T1
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: WayonКитай
60 В, 52 А, 0.0087 Ом, 1.2 В
Предложений: 3 · Всего: 50 944 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 52 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0087 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 62.5 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2750 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | PDFN5060-8L |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:WMB52N06T1WayonТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 5031375
Склад Москва
Цена
12,89 ₽
от 1 шт
Наличие
29 893 шт
Упаковка: 3000 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 317360
Доставка и самовывоз
Цена
15,64 ₽
от 1 шт
Наличие
21 044 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 536253
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
21,88 ₽
от шт
| от 75 шт | 19,82 ₽ |
| от 150 шт | 18,13 ₽ |
| от 299 шт | 16,84 ₽ |
| от 597 шт | 15,88 ₽ |
Наличие
7 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.