STD10NF10T4
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
100 В, 13 А, 0.13 Ом, 2 В
Предложений: 2 · Всего: 3 725 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 13 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.13 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 50 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 460 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 175 |
| Корпус | TO-252 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:STD10NF10T4ST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 240535
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
85,13 ₽
от 4 шт
| от 8 шт | 83,52 ₽ |
| от 15 шт | 81,33 ₽ |
| от 29 шт | 77,99 ₽ |
| от 57 шт | 73,19 ₽ |
Наличие
2 211 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 163923
Доставка и самовывоз
Цена
107,06 ₽
от 15 шт
Наличие
1 514 шт
Упаковка: 15 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.