STB55NF06T4
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
60 В, 50 А, 0.018 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 781 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 50 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.018 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 110 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1300 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 175 |
| Корпус | D2PAK |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:STB55NF06T4ST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 150091
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
92,47 ₽
от 4 шт
| от 37 шт | 86,59 ₽ |
| от 74 шт | 81,92 ₽ |
| от 147 шт | 77,82 ₽ |
| от 294 шт | 75,06 ₽ |
Наличие
492 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 163334
Доставка и самовывоз
Цена
105,45 ₽
от 74 шт
Наличие
289 шт
Упаковка: 74 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.