IXTQ50N25T
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: IXYSЗапад
250 В, 50 А, 0.06 Ом, 5 В
Предложений: 2 · Всего: 153 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 250 В |
| Ток стока (Id) | 50 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.06 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 400 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4000 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-3P |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IXTQ50N25TIXYSТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 361356
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
326,17 ₽
от 1 шт
| от 7 шт | 307,50 ₽ |
| от 13 шт | 292,29 ₽ |
| от 30 шт | 280,99 ₽ |
| от 60 шт | 272,58 ₽ |
Наличие
90 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 164175
Доставка и самовывоз
Цена
374,48 ₽
от 13 шт
Наличие
63 шт
Упаковка: 13 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.