📦
IRLML0100TRPBF
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: FUXINКитай
100 В, 3.5 А, 0.18 Ом, 2 В
Предложений: 3 · Всего: 54 949 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 3.5 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.18 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.5 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 650 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 175 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Заряд затвор-сток | 1.2nC |
| Макс. Vds | 100V |
| Макс. Vgs | ±16V |
| Уровень MSL | MSL1 |
| Td(вкл) | 2.2ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Макс. Tj | 150°C |
| Tj мин. | -55°C |
| Заряд затвор-исток | 0.5nC |
| Vsd макс. | 1.3V |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Idm импульсный | 7.0A |
| Pd макс. 25°C | 1.3W |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Макс. тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Заряд обратного восстановления | 20nC |
| Vgs порог макс. | 2.5V |
| Vgs порог мин. | 1.0V |
| Непрерывный | 1.1A |
| Название компонента | IRLML0100TRPbF |
| Тип компонента | HEXFET Power MOSFET |
| Ток стока непрерывный 25C | 1.6A |
| Непрерывный ток стока 70°C | 1.3A |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRLML0100TRPBFFUXINТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 5694832
Склад Москва
Цена
6,48 ₽
от 1 шт
| от 500 шт | 5,46 ₽ |
| от 825 шт | 4,88 ₽ |
| от 1 400 шт | 4,42 ₽ |
Наличие
18 378 шт
Упаковка: 3000 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 335404
Доставка и самовывоз
Цена
6,62 ₽
от 500 шт
Наличие
12 938 шт
Упаковка: 500 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 143945
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
20,31 ₽
от 15 шт
| от 245 шт | 18,67 ₽ |
| от 489 шт | 17,56 ₽ |
| от 977 шт | 16,58 ₽ |
| от 1 953 шт | 15,94 ₽ |
Наличие
23 633 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.