📦
IRFP064NPBF
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: JSMICROКитай
55 В, 110 А, 0.008 Ом, 2 В
Предложений: 3 · Всего: 6 485 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 55 В |
| Ток стока (Id) | 110 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.008 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4000 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 175 |
| Корпус | TO-247AC |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRFP064NPBFJSMICROТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 5695137
Склад Москва
Цена
44,73 ₽
от 1 шт
Наличие
1 259 шт
Упаковка: 30 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 359165
Доставка и самовывоз
Цена
54,25 ₽
от 1 шт
Наличие
886 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 65344
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
79,65 ₽
от 4 шт
| от 13 шт | 78,32 ₽ |
| от 25 шт | 76,59 ₽ |
| от 75 шт | 74,15 ₽ |
| от 125 шт | 71,03 ₽ |
Наличие
4 340 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.