IRF830APBF
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: JSMSEMIКитай
500 В, 5 А, 1.4 Ом, 4.5 В
Предложений: 2 · Всего: 1 291 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 500 В |
| Ток стока (Id) | 5 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 1.4 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4.5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 74 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 620 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от -55 до 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRF830APBFJSMSEMIТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 83597
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
23,56 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 23,56 ₽ |
Наличие
840 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 92288
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
54,04 ₽
от 6 шт
| от 11 шт | 52,88 ₽ |
| от 21 шт | 51,25 ₽ |
| от 50 шт | 48,79 ₽ |
| от 100 шт | 45,52 ₽ |
Наличие
451 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.