📦
IRF7343TRPBF
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: VBsemiКитай
55 В, 4.7 А, 0.05 Ом, 1 В
Предложений: 3 · Всего: 49 503 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 55 В |
| Ток стока (Id) | 4.7 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.05 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 740 пФ |
| Тип канала | Комплементарный (N+P) |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SO-8 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRF7343TRPBFVBsemiТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 3935319
Склад Москва
Цена
20,13 ₽
от 1 шт
Наличие
21 735 шт
Упаковка: 4000 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 295490
Доставка и самовывоз
Цена
24,41 ₽
от 1 шт
Наличие
15 301 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 203788
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
34,50 ₽
от 9 шт
| от 155 шт | 32,04 ₽ |
| от 309 шт | 30,39 ₽ |
| от 618 шт | 28,94 ₽ |
| от 1 236 шт | 27,97 ₽ |
Наличие
12 467 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.