📦
IRF630NPBF
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: JSMICROКитай
200 В, 9.3 А, 0.3 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 5 571 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 200 В |
| Ток стока (Id) | 9.3 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.3 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 82 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 575 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 175 |
| Корпус | TO-220AB |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRF630NPBFJSMICROТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 6533788
Склад Москва
Цена
29,86 ₽
от 1 шт
| от 110 шт | 26,92 ₽ |
| от 180 шт | 25,26 ₽ |
| от 300 шт | 23,94 ₽ |
Наличие
1 шт
Упаковка: 50 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 69993
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
26,76 ₽
от 12 шт
| от 150 шт | 24,54 ₽ |
| от 250 шт | 22,77 ₽ |
| от 450 шт | 21,23 ₽ |
| от 900 шт | 20,20 ₽ |
Наличие
5 570 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.