IRF630
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
200 В, 9 А, 0.35 Ом, 2 В
Предложений: 1 · Всего: 704 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 200 В |
| Ток стока (Id) | 9 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.35 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 74 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 700 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от -65 до 150 °C |
| Корпус | TO-220AB |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRF630ST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Триатрон
Арт.: 164492
Доставка и самовывоз
Цена
64,66 ₽
от 50 шт
Наличие
704 шт
Упаковка: 50 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.