IPB017N10N5ATMA1
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
?, ?, ?, ?
Предложений: 1 · Всего: 110 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | ? |
| Ток стока (Id) | ? |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | ? |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | ? |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | ? |
| Входная ёмкость (Ciss) | ? |
| Тип канала | ? |
| Корпус | ? |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IPB017N10N5ATMA1INFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 1012599
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
444,82 ₽
от 1 шт
| от 5 шт | 420,71 ₽ |
| от 9 шт | 401,08 ₽ |
| от 18 шт | 386,49 ₽ |
| от 36 шт | 375,63 ₽ |
Наличие
110 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.