📦
G5S12002C
Диоды Шоттки · Производитель: GPTКитай
1200 В, 8.8 А, 8.8 мА, 38 А
Предложений: 1 · Всего: 852 шт
Технические параметры
| Макс. обратное напряжение (V_RRM) | 1200 В |
| Средний прямой ток (I_F(AV)) | 8.8 А |
| Макс. прямой ток (I_F) | 8.8 мА |
| Ударный прямой ток (I_FSM) | 38 А |
| Прямое напряжение (V_F) | 1.7 В |
| Обратный ток (I_R) | 50 мкА |
| Рабочая температура (T_j) | от -55 до 175 °C |
| Корпус | TO-252 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:G5S12002CGPTДиоды Шоттки
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 569378
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
38,50 ₽
от 8 шт
| от 44 шт | 35,33 ₽ |
| от 88 шт | 32,73 ₽ |
| от 175 шт | 30,77 ₽ |
| от 349 шт | 29,31 ₽ |
Наличие
852 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
12 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Монолитная интеграция диода Шоттки с GaN-транзистором снизила напряжение обратной проводимости на 41%
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.