FDN5618P
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
60 В, 1.25 А, 0.23 Ом, 1.6 В
Предложений: 2 · Всего: 12 582 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 1.25 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.23 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.6 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.5 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 430 пФ |
| Тип канала | P-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:FDN5618PHXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 124779
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
6,16 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 6,16 ₽ |
Наличие
8 100 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 145803
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
13,92 ₽
от 22 шт
| от 188 шт | 12,57 ₽ |
| от 376 шт | 11,49 ₽ |
| от 752 шт | 10,58 ₽ |
| от 1 504 шт | 9,96 ₽ |
Наличие
4 482 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.