📦
FDN306P
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: onsemiЗапад
12 В, 2.6 А, 0.04 Ом, 0.4 В
Предложений: 2 · Всего: 1 809 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 12 В |
| Ток стока (Id) | 2.6 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.04 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 0.4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.45 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1138 пФ |
| Тип канала | P-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:FDN306PonsemiТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 145802
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
20,62 ₽
от 15 шт
| от 79 шт | 18,65 ₽ |
| от 157 шт | 17,03 ₽ |
| от 314 шт | 15,80 ₽ |
| от 628 шт | 14,89 ₽ |
Наличие
1 105 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 163234
Доставка и самовывоз
Цена
22,72 ₽
от 157 шт
Наличие
704 шт
Упаковка: 157 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.