CSD19532Q5B
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: Texas InstrumentsЗапад
100 В, 100 А, 0.0046 Ом, 2.6 В
Предложений: 2 · Всего: 373 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 100 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0046 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.6 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 195 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4810 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SON-8(5x6) |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:CSD19532Q5BTexas InstrumentsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 551464
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
156,29 ₽
от 2 шт
| от 41 шт | 148,11 ₽ |
| от 81 шт | 142,64 ₽ |
| от 161 шт | 137,82 ₽ |
| от 322 шт | 134,57 ₽ |
Наличие
219 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 332178
Доставка и самовывоз
Цена
180,36 ₽
от 81 шт
Наличие
154 шт
Упаковка: 81 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.