CSD18537NQ5A
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: Texas InstrumentsЗапад
60 В, 50 А, 0.01 Ом, 3 В
Предложений: 2 · Всего: 8 534 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 50 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.01 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.2 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1480 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SON-8(5x6) |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:CSD18537NQ5ATexas InstrumentsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 372170
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
58,17 ₽
от 6 шт
| от 100 шт | 54,47 ₽ |
| от 199 шт | 51,98 ₽ |
| от 397 шт | 49,80 ₽ |
| от 794 шт | 48,33 ₽ |
Наличие
5 014 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 164188
Доставка и самовывоз
Цена
66,34 ₽
от 199 шт
Наличие
3 520 шт
Упаковка: 199 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.