2SK3878
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: TOSКитай
900 В, 9 А, 1.2 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 461 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 900 В |
| Ток стока (Id) | 9 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 1.2 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3000 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | TO-3PN |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:2SK3878TOSТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 2301200
Склад Москва
Цена
134,67 ₽
от 1 шт
| от 25 шт | 127,09 ₽ |
| от 42 шт | 122,92 ₽ |
| от 70 шт | 119,57 ₽ |
Наличие
65 шт
Упаковка: 25 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 162232
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
143,75 ₽
от 3 шт
| от 25 шт | 135,43 ₽ |
| от 50 шт | 128,82 ₽ |
| от 100 шт | 123,02 ₽ |
| от 200 шт | 119,10 ₽ |
Наличие
396 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.