2SD2012
Транзисторы биполярные (BJTs) · Производитель: ToshibaАзия
60 В, 3 А, 100, 2 Вт
Предложений: 1 · Всего: 34 шт
Технические параметры
| Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | 60 В |
| Ток коллектора (Ic) | 3 А |
| Коэф. усиления (hFE) | 100 |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2 Вт |
| Граничная частота (fT) | 3 МГц |
| Напряжение насыщения (Vce sat) | 1 В |
| Тип | NPN |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-220F |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:2SD2012ToshibaТранзисторы биполярные (BJTs)
Поставщик
Триатрон
Арт.: 165352
Доставка и самовывоз
Цена
41,92 ₽
от 36 шт
Наличие
34 шт
Упаковка: 36 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
14 октября 2026 г. · Защита цепей
Toshiba выпустила электронные предохранители с работой от 1,7 В в малом корпусе
12 октября 2026 г. · САПР, ПО и средства разработки
Rapidus создаёт экосистему CORE для разработки и выпуска 2-нанометровых микросхем
7 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Toshiba выпустила силовой модуль на SiC-MOSFET для 3300 В и 800 А
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.